適用于碳化硅單晶微管。

GB/T 30868-2014 碳化硅單晶片微管密度的測(cè)定 化學(xué)腐蝕法
GB/T 14264半導(dǎo)體材料術(shù)語(yǔ)

目前影響碳化硅應(yīng)用的主要因素是其高密度缺陷。碳化硅塊狀晶體中最常見缺陷被稱為微管。微管是空心的超級(jí)螺型位錯(cuò)，其Burgers矢量沿著C軸。對(duì)微管的產(chǎn)生已經(jīng)提出或者確定了許多原因。這些原因包括Si或者C夾雜物，邊界缺陷，及多型夾雜等。
碳化硅單晶片微管化學(xué)腐蝕試驗(yàn)可利用熔融氫氧化鉀腐蝕法測(cè)定碳化硅單晶微管密度。
健明迪檢測(cè)可靠性實(shí)驗(yàn)中心具備各種碳化硅單晶片微管的可靠性能試驗(yàn)?zāi)芰?，為碳化硅單晶片微管提供專業(yè)的化學(xué)腐蝕試驗(yàn)等服務(wù)。

采用擇優(yōu)化學(xué)腐蝕技術(shù)顯示微管缺陷，用光學(xué)顯微鏡或其他儀器（如掃描電子顯微鏡）觀察碳化硅單晶表面的微管，計(jì)算單位面積上微管的個(gè)數(shù)，即得到微管密度。
1）將腐蝕好的試樣置于光學(xué)顯微鏡載物臺(tái)上，根據(jù)微管孔洞大小選取不同放大倍率。
2）觀察整個(gè)碳化硅單晶片表面，確認(rèn)微管形貌，記錄觀察視場(chǎng)內(nèi)微管個(gè)數(shù)。記數(shù)視場(chǎng)的選擇有兩種，根據(jù)需要可選?。?br>a）依次觀察記錄整個(gè)碳化硅單晶片每個(gè)觀察視場(chǎng)內(nèi)的微管個(gè)數(shù)；
b）選取觀察視場(chǎng)面積及測(cè)量點(diǎn)，觀察視場(chǎng)面積S不小于1 mm2。記錄每個(gè)視場(chǎng)的微管個(gè)數(shù)。
注：a）、b）兩種測(cè)試方法中推薦優(yōu)選方法a）測(cè)試整個(gè)碳化硅單晶片的微管缺陷。
3）計(jì)算平均微管密度。